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水热法制备低维氮化硼纳米结构的研究进展
引用本文:王海旭,杨光,程天舒,王宁,孙蓉,汪正平.水热法制备低维氮化硼纳米结构的研究进展[J].化学学报,2019,77(4):316-322.
作者姓名:王海旭  杨光  程天舒  王宁  孙蓉  汪正平
作者单位:中国科学院深圳先进技术研究院 深圳518055;深圳大学材料学院 深圳518060;中国科学院深圳先进技术研究院 深圳518055;中国科学技术大学纳米科学技术学院 苏州215123;中国科学院深圳先进技术研究院 深圳518055;美国佐治亚理工学院 亚特兰大30332美国
基金项目:项目受科技部国家重点研发计划(No.2017YFB0406200)和深圳市学科布局项目(No.JCYJ20150831154213681)资助.
摘    要:作为一种宽禁带绝缘材料,氮化硼由于其高导热性、强化学惰性和高热稳定性在热界面材料、光催化和电催化以及储能材料方面引起了广泛的研究兴趣.低维氮化硼纳米结构,如二维纳米片、一维纳米管、纳米棒、纳米线、零维纳米球和量子点等,具有高热导率(600 W/mK)和超宽带隙(5~6 eV),在高导热复合材料、热电材料及电子封装材料等领域具有很好的应用前景,其制备技术及相关性能研究是近年来材料科学领域的热点之一.主要详述了目前水热法制备低维氮化硼(BN)纳米结构的研究进展及存在的问题,并指出深入研究合成机理、研发新型水热制备方法将是今后本领域的重点研究方向.

关 键 词:氮化硼  水热合成  热导率  纳米结构  电子封装

Recent Advances in Hydrothermal Synthesis of Low Dimensional Boron Nitride Nanostructures
Wang Haixu,Yang Guang,Cheng Tianshu,Wang Ning,Sun Rong,Wong Ching-Ping.Recent Advances in Hydrothermal Synthesis of Low Dimensional Boron Nitride Nanostructures[J].Acta Chimica Sinica,2019,77(4):316-322.
Authors:Wang Haixu  Yang Guang  Cheng Tianshu  Wang Ning  Sun Rong  Wong Ching-Ping
Institution:a Shenzhen Institutes of Advanced Technology, Chinese Academy of Sciences, Shenzhen 518055; b College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060; c Department of Nano Science and Technology Institute, University of Science and Technology of China, Suzhou 215123; d School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA
Abstract:
Keywords:boron nitride  hydrothermal synthesis  thermal conductivity  nanostructure  electronic packaging  
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