过氧亚硝基阴离子对重组人干扰素α2b的氧化硝化修饰特征 |
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引用本文: | 赵广荣,田莉莉,马琼,乔斌.过氧亚硝基阴离子对重组人干扰素α2b的氧化硝化修饰特征[J].化学学报,2010,68(19):2024-2028. |
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作者姓名: | 赵广荣 田莉莉 马琼 乔斌 |
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作者单位: | (天津大学化工学院制药工程系 系统生物工程教育部重点实验室 天津 300072) |
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基金项目: | 国家自然科学基金,天津市自然科学基金 |
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摘 要: | 在体外模拟研究体内氧化硝化应激状态下产生的过氧亚硝基阴离子(ONOO-)对重组人干扰素α2b (rhIFN α2b)造成的氧化硝化修饰特征, 并利用HPLC-MS/MS分析方法鉴定了ONOO-对重组人干扰素α2b氨基酸序列中的氧化硝化位点. 结果表明ONOO-对重组人干扰素α2b的修饰位点主要在A螺旋的Met16被氧化, DE颈环的Tyr135被硝化, 以及 E螺旋的Trp140被硝化修饰.
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关 键 词: | 重组人干扰素α2b 过氧亚硝基阴离子 氧化 硝化 氨基酸修饰 |
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