| R2C＝GeH2和R2Ge＝CH2结构与成键特征的理论研究 |
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| 引用本文： | 耿志远,贾宝丽,王永成,姚琨,方冉,张兴辉.R2C＝GeH2和R2Ge＝CH2结构与成键特征的理论研究[J].化学学报,2006,64(19). |
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| 作者姓名： | 耿志远 贾宝丽 王永成 姚琨 方冉 张兴辉 |
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| 作者单位： | (西北师范大学化学化工学院 甘肃省高分子材料重点实验室 兰州 730070) |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论(DFT), 在B3LYP/6-31＋G(d, p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge＝CH2和R2C＝GeH2 R＝H, OH, NH2, SH, PH2, F, Cl, Br, (NHCH)2, CH3, (CH)2]的影响. 研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化. 碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强, R2C的单-三态能量差越大, π电子的反极化效应就越强, 使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显, 从而使得弯曲结构更稳定. 和前人的计算相比, 碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对SiH2的影响.
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| 关 键 词： | 密度泛函理论 锗烯 反极化效应 |
| 收稿时间： | 2006-1-6 |
| 修稿时间： | 2006-4-30 |
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