金属离子在多孔硅表面和吸附与电镀过程中金属在多孔硅表面的淀积 |
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引用本文: | 王冠中,李鹏,马玉蓉,方容川,李凡庆.金属离子在多孔硅表面和吸附与电镀过程中金属在多孔硅表面的淀积[J].化学学报,1998,56(2). |
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作者姓名: | 王冠中 李鹏 马玉蓉 方容川 李凡庆 |
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作者单位: | 中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构与成分分析中心 |
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摘 要: | 刚制备的多孔硅与金属盐溶液接触会产生金属离子在多孔硅表面和吸附现象。实验显示这一现象只发生在新鲜的多孔硅表面, 而存放一月以后的样品不具备此性质。文中把这一现象归因于新鲜的多孔硅表面电子的富集, 溶液中金属离子从多孔硅表面获得电子而附着。多孔硅表面电镀金属过程中, 一定电压下电镀电流密度在起始阶段逐渐下降, 可以用一个指数关系式较好地描述, 在本文中有一个唯象模型予以解释。
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关 键 词: | 硅 吸附 电镀 |
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