| N',N'-二乙基硫脲添加剂对铜微沉积工艺电化学行为的影响 |
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| 引用本文： | 张涛,吴一辉,杨建成,张平.N',N'-二乙基硫脲添加剂对铜微沉积工艺电化学行为的影响[J].化学学报,2008,66(21). |
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| 作者姓名： | 张涛 吴一辉 杨建成 张平 |
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| 作者单位： | 张涛,杨建成,ZHANG, Tao,YANG, Jian-Cheng(天津工业大学机械电子学院,天津,300160);吴一辉,张平,WU, Yi-Hui,ZHANG, Ping(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130033) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，天津工业大学青年基金 |
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| 摘 要： | 为了研究N',N'-二乙基硫脲添加剂在微沉积工艺中对铜金属孔洞填充能力的影响,采用线性伏安法(LSV)、循环伏安法(CV)、SEM测量法分析比较了无添加剂、含硫脲和含N',N'-二乙基硫脲添加剂时微沉积铜工艺中的电化学行为,并借助塔菲尔方程,分析比较此三种情况下电镀反应过程中的电极动力学参数.结果显示:当铜微沉积工艺中加入N',N'-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,该活性极化效应降低铜离子的放电速度,抑制孔洞边缘部分沉积较快区域的过快生长;同时活性极化提高,将导致成核点的增加,沉积膜的晶粒较小,镀膜也较平滑细致,实验测得铜离子的平滑能力比没有添加剂时提高约50%.最后通过微沉积工艺成功地将金属铜填充入宽为10 μm,深宽比为4:1的微型凹槽中,且镀层内没有空洞、空隙以及细缝等缺陷.
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| 关 键 词： | 微沉积工艺 N' N'-二乙基硫脲 活性极化 电化学行为 |
Effects of N',N'-Diethylthiourea on Electrochemical Behavior of Copper Micro-electrodeposition |
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| ZHANG, Tao,WU, Yi-Hui,YANG, Jian-Cheng,ZHANG, Ping.Effects of N',N'-Diethylthiourea on Electrochemical Behavior of Copper Micro-electrodeposition[J].Acta Chimica Sinica,2008,66(21). |
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| Authors: | ZHANG Tao WU Yi-Hui YANG Jian-Cheng ZHANG Ping |
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