| 基于吸收互补有机半导体本体复合薄膜的高性能柔性光突触晶体管 |
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| 引用本文： | 孙嘉贤,刘禹廷,尹志刚,郑庆东.基于吸收互补有机半导体本体复合薄膜的高性能柔性光突触晶体管[J].化学学报,2022,80(7):936-945. |
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| 作者姓名： | 孙嘉贤 刘禹廷 尹志刚 郑庆东 |
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| 作者单位： | a 福州大学化学学院 福州 350108b 中国科学院福建物质结构研究所 结构化学国家重点实验室 福州 350002c 中国福建光电信息科学与技术创新实验室 福州 350108 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(52173241); 福建省杰出青年科学基金(2019J06023); 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室)主任基金(2021ZR116) |
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| 摘 要： | 采用光吸收互补的聚(3-己基噻吩)(P3HT)和引达省并二噻吩-苯并噻二唑共聚物(PIDT-BT), 通过溶液法制备了两者的本体复合异质结构有机半导体薄膜, 并研究了薄膜的表面结构和光电性质. 将PIDT-BT:P3HT复合薄膜作为一类新型光敏沟道层, 与聚电解质介电材料相结合, 制备了高性能柔性低电压光突触晶体管. 考察了不同光刺激条件对光突触晶体管性能的影响及半导体机制, 发现PIDT-BT:P3HT器件具有明显光突触特性, 并且相较于单纯PIDT-BT或P3HT器件具有更高响应的兴奋性突触后电流. 基于PIDT-BT:P3HT薄膜的光突触器件, 在绿红双色光刺激下的响应大于两种单色光分别刺激的响应之和, 表明附加光刺激可调控器件的记忆效率. 该研究为发展高性能光响应半导体薄膜及柔性低功耗光突触器件提供了新策略.
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| 关 键 词： | 有机半导体 薄膜晶体管 光突触器件 柔性电子 低电压 |
High-Performance Flexible Photonic Synapse Transistors Based on a Bulk Composite Film of Organic Semiconductors with Complementary Absorption |
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| Jiaxian Sun,Yuting Liu,Zhigang Yin,Qingdong Zheng.High-Performance Flexible Photonic Synapse Transistors Based on a Bulk Composite Film of Organic Semiconductors with Complementary Absorption[J].Acta Chimica Sinica,2022,80(7):936-945. |
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| Authors: | Jiaxian Sun Yuting Liu Zhigang Yin Qingdong Zheng |
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| Institution: | a College of Chemistry, Fuzhou University, Fuzhou 350108b State Key Laboratory of Structural Chemistry, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002c Fujian Science & Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China, Fuzhou 350108 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic semiconductor thin-film transistor photonic synapse device flexible electronics low-voltage |
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