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In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算
引用本文:张富春,张志勇,张威虎,阎军峰,贠江妮.In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算[J].化学学报,2008,66(16).
作者姓名:张富春  张志勇  张威虎  阎军峰  贠江妮
作者单位:1. 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068;延安大学物理与电子信息学院,延安,716000
2. 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068;西北大学信息科学与技术学院,西安,710127
3. 西北大学信息科学与技术学院,西安,710127
基金项目:美国应用材料创新基金,陕西省自然科学基金
摘    要:采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性.研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性.

关 键 词:光学性质  电子结构  第一性原理

The First-Principle Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of In2O3
ZHANG Fu-Chun,ZHANG Zhi-Yong,ZHANG Wei-Hu,YAN Jun-Feng,YUN Jiang-Ni.The First-Principle Calculation of Electronic Structure and Optical Properties of In2O3[J].Acta Chimica Sinica,2008,66(16).
Authors:ZHANG Fu-Chun  ZHANG Zhi-Yong  ZHANG Wei-Hu  YAN Jun-Feng  YUN Jiang-Ni
Abstract:
Keywords:In2O3
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