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| 掺稀土半导体光电特性和应用 | |
| 引用本文： | 陈维德,陈长勇,宋淑芳,许振嘉.掺稀土半导体光电特性和应用[J].中国稀土学报,2002,20(6):521-525. |
| 作者姓名： | 陈维德 陈长勇 宋淑芳 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所,北京,100083;中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室,北京,100080 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号60176025,69976028) |
| 摘 要： | 结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究，简述目前国际上在这方面研究的新进展，重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。 |
| 关 键 词： | 半导体 光电特性 应用 稀土元素 GaN 硅基材料 发光 掺杂 铒 氮化镓 |
| 文章编号： | 1000-4343(2003)06-0521-05 |
| 修稿时间： | 2002年9月18日 |
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