| 基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备 |
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| 引用本文： | 李刚,李大维,赵清华,菅傲群,王开鹰,胡杰,桑胜波,程再军,孙伟.基于斜光刻技术的SU-8胶三维微阵列结构制备[J].分析化学,2016(4):660-664. |
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| 作者姓名： | 李刚 李大维 赵清华 菅傲群 王开鹰 胡杰 桑胜波 程再军 孙伟 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学信息工程学院&新型传感器和智能控制教育部重点实验室微纳系统研究中心,太原,030024;2. 厦门理工学院光电与通信工程学院,厦门,361024;3. 烯晶碳能电子科技无锡有限公司,无锡,214000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(Nos.61504113,51205275);人社部留学基金(No.[2014]240);山西省归国留学基金(2013-035);山西省人社厅留学人员择优资助(No.[2013]251);山西省科技研究基金(Nos.20141001021-2,2014011019-1);国家863计划(No.2013AA041100);山西省科技重大专项(No.20121101004);山西省高等特色学科建设项目([2012]45)资助~~ |
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| 摘 要： | 利用斜光刻技术替代传统的直光刻技术在相同底面积的基础上增大微阵列比表面积制备了高比表面积三维微阵列结构,.首先,利用MATLAB仿真对微阵列排布方式进行分析,确定最佳单个柱体宽度及阵列间距.实验中,采用两次甩胶法将SU-8光刻胶均匀旋涂在2寸硅基底上,甩胶转速设为1500r/min,旋涂时间设为35 s;分别置于65℃烘台上保持20 min和95℃烘台上保持70 min进行两次前烘处理;随后进行双向斜曝光,微柱宽度为20 μm,阵列间距为30 μm,光刻角度为20°.最后,再通过高低温后烘处理并显影30 min成功制备出了结构稳定的“Ⅹ”型三维微阵列结构.
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| 关 键 词： | 三维微阵列 斜光刻技术 SU-8光刻胶 比表面积 |
Fabrication of 3D SU-8 Photoresist Microarrays via Inclined Uitraviolet Lithography |
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| LI Gang;LI Da-Wei;ZHAO Qing-Hua;JIAN Ao-Qun;WANG Kai-Ying;HU Jie;SANG Sheng-Bo;CHENG Zai-Jun;SUN-Wei.Fabrication of 3D SU-8 Photoresist Microarrays via Inclined Uitraviolet Lithography[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,2016(4):660-664. |
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| Authors: | LI Gang;LI Da-Wei;ZHAO Qing-Hua;JIAN Ao-Qun;WANG Kai-Ying;HU Jie;SANG Sheng-Bo;CHENG Zai-Jun;SUN-Wei |
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| Institution: | LI Gang;LI Da-Wei;ZHAO Qing-Hua;JIAN Ao-Qun;WANG Kai-Ying;HU Jie;SANG Sheng-Bo;CHENG Zai-Jun;SUN-Wei;MicroNano System Research Center,College of Information Engineering & Key Lab of Advanced Transducers and Intelligent Control System (Ministry of Education) ,Taiyuan University of Technology;School of Opto-electronic and Communication Engineering,Xiamen University of Technology;GMCC Electronic Technology Wuxi Co.,Ltd.; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Three-dimensional microarrays Inclined ultraviolet lithography SU-8 photoresist Specific surface area |
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