激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素 |
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引用本文: | 周慧,汪正,朱燕,李青,陈奕睿,屈海云,邹慧君,杜一平,胡慧廉.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素[J].分析化学,2014(1):123-126. |
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作者姓名: | 周慧 汪正 朱燕 李青 陈奕睿 屈海云 邹慧君 杜一平 胡慧廉 |
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作者单位: | 上海市功能性材料化学重点实验室;华东理工大学;中国科学院上海硅酸盐研究所; |
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基金项目: | 中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目(No.Y27YQ3120G);上海硅酸盐研究所所创新重点项目资助 |
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摘 要: | 采用激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(LA-ICP-MS),以NIST玻璃标准物质制作校准曲线,29Si为内标,相对灵敏度因子(RSF)校准标样和样品间的基体效应,对碳化硅陶瓷器件中9种痕量元素(B,Ti,Cr,Mn,Fe和Ni等)进行定量测定。选择线性扫描方式,激光剥蚀孔径为150μm,氦气和氩气流量为0.7 L/min时,信号稳定性和灵敏度最佳。经内标校准后,各元素标准曲线的线性有较大改善,线性相关系数为0.9981~0.9999。以建立的方法对碳化硅标准参考物质(BAM-S003)中的痕量元素进行测定,并与标准参考值进行对比,结果一致,证实了LA-ICP-MS方法应用于碳化硅样品检测的准确性和有效性。采用本方法定量测定碳化硅器件中痕量元素,结果与辉光放电质谱法(GD-MS)测定的结果比较一致。元素B,Ti,Cr,Mn,Fe,Ni,Cu,Sr和La的检出限为0.004~0.08 mg/kg,相对标准偏差(RSD)小于5%。
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关 键 词: | 激光剥蚀 电感耦合等离子体质谱 碳化硅 |
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