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低温等离子体剥蚀-电感耦合等离子体质谱联用对电路板镀层的深度分析
引用本文:杨萌,李铭,薛蛟,赵欣,黄秀,冯璐,邢志.低温等离子体剥蚀-电感耦合等离子体质谱联用对电路板镀层的深度分析[J].分析化学,2015,43(5).
作者姓名:杨萌  李铭  薛蛟  赵欣  黄秀  冯璐  邢志
作者单位:1. 清华大学化学系,北京,100084
2. 聚光科技(杭州)股份有限公司,杭州,310052
基金项目:国家重大科学仪器设备开发专项,清华大学实验室创新基金
摘    要:建立了基于低温等离子体(Low temperature plasma)剥蚀系统将固体样品直接引入电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)并用于电路板镀层中Au,Ni和Cu的深度分析.此实验中采用介质阻挡放电(DBD)方式产生低温等离子体探针,逐层剥蚀样品表面,由ICPMS检测元素信号.对DBD所用放电气体种类、外加电场功率、放电气体流速和采样深度等实验条件进行优化.在优化条件下,应用LTP-ICPMS在30 s内完成电路板镀层(20 μm Au/10 μm Ni/Cu基底)的逐层剥蚀和深度分析,元素种类和分层顺序与X射线光电子能谱(XpS)相吻合,镀层的分辨率可拓展至微米水平,表明此技术可直接用于固体样品的深度分析.

关 键 词:低温等离子体  介质阻挡放电  剥蚀  深度分析  电路板  电感耦合等离子体质谱

Depth Profiling of Metal Coating Circuit Board by Low Temperature Plasma-Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy System
YANG Meng,LI Ming,XUE Jiao,ZHAO Xin,HUANG Xiu,FENG Lu,XING Zhi.Depth Profiling of Metal Coating Circuit Board by Low Temperature Plasma-Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy System[J].Chinese Journal of Analytical Chemistry,2015,43(5).
Authors:YANG Meng  LI Ming  XUE Jiao  ZHAO Xin  HUANG Xiu  FENG Lu  XING Zhi
Abstract:
Keywords:Low temperature plasma  Dielectric barrier discharge  Ablation  Depth profiling  Circuit  Inductively coupled plasma-mass spectroscopy
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
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