掺硼金刚石膜/碳膜平面式复合电极的制备及电化学性能 |
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引用本文: | 练发东,芶立.掺硼金刚石膜/碳膜平面式复合电极的制备及电化学性能[J].化学研究与应用,2014(8):1277-1281. |
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作者姓名: | 练发东 芶立 |
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作者单位: | 四川大学材料科学与工程学院; |
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基金项目: | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题资助(KFJJ201313) |
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摘 要: | 采用微波等离子体化学气相沉积法在本征硅上制备掺硼金刚石膜/碳膜平面式复合电极,其中硅片的一面为掺硼金刚石膜,另一面为碳膜。通过SEM和拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌和成分,掺硼金刚石膜为纳米级金刚石,碳膜表面有均匀分布的凹坑;利用四探针、循环伏安法和交流阻抗法表征电极导电性和电化学性能,随着沉积时间增加,电极方阻减小;在铁氰化钾溶液中电极发生准可逆氧化还原反应,电势差为119mV,在103Hz附近阻抗为113Ω;多巴胺的检测限为5μmol·L-1。
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关 键 词: | 化学气相沉积(CVD) 掺硼金刚石膜 碳膜 复合电极 |
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