导电TiO_2粉体的制备及性能研究

本文采用化学共沉淀法,以SnCl_4·5H_2O、SbCl_3等为原料包覆微纳米TiO_2,制备了电导率良好的导电粉体。采用红外光谱(FT-IR)、X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等对表面包覆前后的微纳米TiO_2结构进行了表征。结果表明,锑原子置换了氧化锡中的锡原子形成缺陷固溶体,主要以物理吸附的方式吸附在TiO_2表面,也可能存在化学吸附,形成Ti-O-Sn键。通过测量粉体的电阻率表征粉体的导电性能,对比试验结果可得:当pH为1.5,煅烧温度为500℃,SnCl_4·5H_2O/TiO_2(m/m)为25%,SbCl_3/SnCl_4·5H_2O(m/m)为14%时,包覆后的导电粉体电阻率最小,为12Ω·cm,进而验证该条件下制得的导电粉体具有良好的导电性能。