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新型含氟耐高温聚吡咙——合成与性能研究
引用本文:刘金刚,王丽芳,杨海霞,李彦峰,范琳,杨士勇.新型含氟耐高温聚吡咙——合成与性能研究[J].高分子学报,2004(3):394-400.
作者姓名:刘金刚  王丽芳  杨海霞  李彦峰  范琳  杨士勇
作者单位:1. 中国科学院化学研究所高技术材料研究室,北京,100080
2. 兰州大学化学化工学院,兰州,730000
基金项目:国家杰出青年资金资助项目(基金号59925310)
摘    要:通过改进的Chichibabin反应合成了主链含有吡啶单元的新型含氟四胺单体 ,2 ,6 双 (3′ ,4′ 二氨基苯基 ) 4 (3″ ,5″ 双三氟甲苯基 )吡啶 (6FPA) .利用 6FPA与芳香族二酐单体 3,3′ ,4 ,4′ 二苯醚四羧酸二酐 (ODPA)通过两步热环化工艺制备了新型聚吡咙 (Polypyrrolone ,PPy)化合物 .对其所进行的各种性能测试结果表明 ,这种主链含有刚性吡啶结构、侧链带有含氟取代基的芳杂环高分子材料不仅保持了其固有的耐热性能 ,而且具有优良的成膜性能与耐水解性能 .例如其起始热分解温度为 5 5 8℃ ,失重 10 %温度为 5 91℃ ,72 0℃时的残余重量百分数为 6 8% ,玻璃化转变温度为 318℃ .PPy薄膜在 10 %NaOH水溶液中水解 7天仍具有良好的耐热性能与柔韧性 .

关 键 词:芳杂环高分子  聚吡咙  四胺  三氟甲基  耐高温
修稿时间:2003年5月23日

NEW FLUORINATED POLYPYRROLONE WITH HIGH HEAT RESISTANCE--SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION
LIU Jingang,WANG Lifang,YANG Haixia,LI Yanfeng,FAN Lin,YANG Shiyong.NEW FLUORINATED POLYPYRROLONE WITH HIGH HEAT RESISTANCE--SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION[J].Acta Polymerica Sinica,2004(3):394-400.
Authors:LIU Jingang  WANG Lifang  YANG Haixia  LI Yanfeng  FAN Lin  YANG Shiyong
Institution:LIU Jingang1,WANG Lifang2,YANG Haixia2,LI Yanfeng2,FAN Lin1,YANG Shiyong1
Abstract:A fluorinated polypyrrolone(PPy) derived from a new aromatic tetraamine,2,6-bis(3′,4′-diaminophenyl)-4-3″,5″-bis(trifluoromethylphenyl)]pyridine(6FPA),which was synthesized by the Chichibabin's reaction,and the aromatic dianhydride ODPA by a two-step polycondensation procedure was synthesized and characterized.The flexible and tough films prepared by casting from the precursor solutions PAAA,followed by thermal dehydrating,showed good thermal stability with thermal decomposition temperature of 544℃,10% weight loss temperature of 591℃,glass transition temperature of 318℃ and weight retention ratio of 68% at 720℃.The PPy films exhibited excellent alkaline-aqueous-repellent properties and retained most of the properties even after boiling in 10% NaOH solutions for seven days,which made it a good candidate for protecting coating applications.
Keywords:Heteroaromatic polymers  Polypyrrolone  Tetraamine  Trifluoromethyl  Heat resistance  
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