| 半导体硅上激光诱导选择性电镀铜 |
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| 引用本文： | 张国庆,龚正烈.半导体硅上激光诱导选择性电镀铜[J].应用化学,1997,14(1):33-36. |
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| 作者姓名： | 张国庆 龚正烈 |
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| 作者单位： | 天津大学应用化学系，天津理工学院 |
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| 摘 要： | 在ｐ型硅上利用氩离子激光进行了选择性电镀铜的研究，考察了半导体表面处理条件、阴极偏压和激光强度对阴极光电流及空间选择性的影响．表面氧化膜和阳极钝化膜的存在使光电流降低近一个数量级，少量氧化膜可使选择性提高．外加阴极偏压和激光强度的增加导致光电流增大，选择性降低．将氢氟酸处理的硅片在电解液中放置１０～２０ｍｉｎ，于稳定电位附近，用较弱激光照射可获得选择性铜镀层
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| 关 键 词： | p－Si，激光诱导电镀，选择性，镀铜 |
| 收稿时间： | 1996-02-16 |
Laser Induced Selective Electroplating of Copper on Semiconductor Silicon |
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| Zhang Guoqing ,Yao Suwei,Liu Bing,Guo Hetong.Laser Induced Selective Electroplating of Copper on Semiconductor Silicon[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,1997,14(1):33-36. |
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| Authors: | Zhang Guoqing Yao Suwei Liu Bing Guo Hetong |
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| Institution: | Zhang Guoqing *,Yao Suwei,Liu Bing,Guo Hetong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p type silicon laser induced electroplating selectivity copper plating |
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