| 铵离子插层mos2的制备与表征 |
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| 引用本文： | 周宇,徐玉福,胡献国.铵离子插层mos2的制备与表征[J].应用化学,2008,25(1):5-0. |
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| 作者姓名： | 周宇 徐玉福 胡献国 |
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| 作者单位： | 1. 合肥工业大学,摩擦学研究所,合肥,230009;合肥工业大学,化学工程学院,合肥,230009
2. 合肥工业大学,摩擦学研究所,合肥,230009 |
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| 摘 要： | 以剥层重堆法制备了NH 4/MoS2插层复合物,该复合物可以作为长期储存的单层MoS2,同时也可作为先驱体以便插入其它客体分子制成新的插层复合物.通过XRD、热重分析和元素分析等测试技术对该插层复合物进行了表征.结果表明,MoS2经NH 4插层后,其层间距由0.615nm增加到0.954nm,由元素分析和热重分析得出插层复合物的组成分别为(NH 4)3.1 MoS2 和(NH 4 )2.9 MoS2 . 插层复合物在空气中放置30 d后,其XRD和热重分析的结果表明该插层复合物的储存稳定性良好. 此外,插层复合物的插层程度受氯化铵溶液浓度、反应温度、反应时间等反应条件的影响,质量分数为1.0%的氯化铵溶液, 反应温度30 ℃和反应时间12 h,所得到的NH 4 /MoS2插层复合物层间距最大.
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| 关 键 词： | mos2 铵离子 插层复合物 |
| 文章编号： | 1000-0518（2008）01-0005-04 |
| 收稿时间： | 2007-02-09 |
| 修稿时间： | 2007-04-29 |
Preparation and Characterization of Molybdenum Disulfide with NH+4 Interlayer |
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| ZHOU Yu,XU Yu-Fu,HU Xian-Guo.Preparation and Characterization of Molybdenum Disulfide with NH+4 Interlayer[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,2008,25(1):5-0. |
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| Authors: | ZHOU Yu XU Yu-Fu HU Xian-Guo |
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| Abstract: | |
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