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DA和AA在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学行为及电分析方法
引用本文:韩晓霞,高作宁.DA和AA在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学行为及电分析方法[J].应用化学,2007,24(7):770-773.
作者姓名:韩晓霞  高作宁
作者单位:宁夏大学能源化工重点实验室,化学化工学院,银川,750021
基金项目:教育部科学技术基金;宁夏高等学校科研项目
摘    要:研究了多巴胺(Dopamine,DA)和抗坏血酸(Ascorbic acid,AA)在裸碳糊电极(Carbon Paste Electrode,CPE)和溴化十六烷基吡啶(Cetylpyrid bromide,CPB)现场修饰碳糊电极(CPB/CPE)上的电化学行为。与CPE相比,DA在CPB/CPE上与CPB产生了静电排斥作用,氧化峰电流减小,氧化峰电位正移;AA和CPB产生了静电吸引作用,氧化峰电流增大,氧化峰电位负移。循环伏安法研究表明,在DA和AA共存体系中,DA和AA的氧化峰电位相差约340 mV,以此建立了DA和AA的电化学同时测定方法。微分脉冲伏安法研究结果表明,DA和AA氧化峰电流和其相应浓度在1.0×10-5~5.0×10-3mol/L的范围内呈良好的线性关系。本方法也可用于DA和AA共存体系中选择性测定DA。在100倍AA共存时DA的检出限为2.0×10-6mol/L,CPB修饰碳糊电极直接用于市售针剂中DA含量的测定,所得结果令人满意。

关 键 词:多巴胺  抗坏血酸  溴化十六烷基吡啶  碳糊电?现场修饰
文章编号:1000-0518(2007)07-0770-04
修稿时间:2006-08-192006-09-16

Electrochemical Behavior of Dopamine and Ascorbic acid at CPB/CPE and Its Application
HAN Xiao-Xia,GAO Zuo-Ning.Electrochemical Behavior of Dopamine and Ascorbic acid at CPB/CPE and Its Application[J].Chinese Journal of Applied Chemistry,2007,24(7):770-773.
Authors:HAN Xiao-Xia  GAO Zuo-Ning
Institution:Ningxia Key laboratory of Energy Sources and Chemical Engineering, College of Chemistry and Chemical Engineering, Ningxia University, Yinchuan 750021
Abstract:
Keywords:ascorbic acid  dopamine  cetylpyrid bromide  carbon paste electrode  in situ modification
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