| 镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法 |
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| 引用本文： | 徐士民,薛宽宏,孔景临,孙冬梅,冯玉英,陆海彦,王广厚.镉的硫族化合物半导体纳米线阵列的模板法[J].电化学,2000,6(2):151-156. |
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| 作者姓名： | 徐士民 薛宽宏 孔景临 孙冬梅 冯玉英 陆海彦 王广厚 |
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| 作者单位： | 1. 南京师范大学化学系,江苏,南京,210097
2. 南京大学固体微结构国家重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 摘 要： | 以多孔氧化铝为模板，用交流电分别通过含有相应的ＣｄＣｌ２、ＺｎＣｌ２、单质Ｓ、Ｓｅ等的二甲亚砜（ＤＭＳＯ）溶液，沉积ＣｄＳ、ＣｄＣｅ以及ＣｄｘＺｎ１－ｘＳ半导体纳米线阵列并研究其紫外可见吸收光谱。实验结果表明，当半导体纳米线的直径小于２５ｎｍ时，其吸收边相对于体相的吸收边产生蓝移，而且蓝移的幅度随着半民体纳米线直径的减小而增加，显示了明显的量子限域效应。
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| 关 键 词： | 模板法合成 多孔氧化铝 半导体 硫族化镉 纳米线 |
| 文章编号： | 1006-3471(2000)02-0151-06 |
Template Synthesis and UV-Vis Absorption Spectra of the Nanowire Arrays of Cadmium Chalcogenides |
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