| GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质 |
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| 引用本文： | 张瑞刚,杨合情,董红星,李丽,焦华,陈晓波,张建英,郑海荣.GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质[J].中国科学B辑,2008,38(3):205-217. |
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| 作者姓名： | 张瑞刚 杨合情 董红星 李丽 焦华 陈晓波 张建英 郑海荣 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学化学与材料科学学院 大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学化学与材料科学学院，大分子科学陕西省重点实验室，陕西师范大学物理学与信息技术学院，西安710062，西安710062，西安710062，西安710062，西安710062，西安710062，西安710062，西安710062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:20573072)，教育部博士点基金(批准号:20060718010)资助项目 |
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| 摘 要： | 在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓，在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线．利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征，结果表明，所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构，纳米带宽度在20～300nm，长达30gm；纳米环直径在5-8gm；Z字结构纳米线的直径约为160nm．研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响，提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理．从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361nm强的紫外光发光和456nm弱的蓝光发光，这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁．
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| 关 键 词： | GaN纳米带 纳米环 Z字结构纳米线 原位生长 光致发光 |
| 收稿时间： | 2007-08-12 |
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