| CuCl等在γ-Al_2O_3表面的分散及其对乙烯吸附的研究 |
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| 引用本文： | 桂琳琳,郭沁林,谢有畅,唐有祺.CuCl等在γ-Al_2O_3表面的分散及其对乙烯吸附的研究[J].中国科学B辑,1984(1). |
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| 作者姓名： | 桂琳琳 郭沁林 谢有畅 唐有祺 |
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| 作者单位： | 北京大学化学系，北京大学化学系，北京大学化学系，北京大学化学系 1978级研究生 |
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| 摘 要： | 本文研究了CuCl在γAl_20_3表面上的分散和乙烯在CuCl/γ-Al_2O_3上的吸附和程序升温脱附情况.X射线相定量法和紫外漫反射法都表明用烘烤法或浸渍法制备的CuCl/γ-Al_2O_3中CuCl在γ-Al_2O_3表面可达单层分散.X射线相定量法测得CuCl在γ-Al_2O_3表面上的最大分散量为0.095克CuCl/100米~2γ-Al_2O_3表面.吸附和程序升温脱附研究表明,分散在γ-Al_2O_3表面上的CuCl在室温常压下便可吸附乙烯,比纯CuCl吸附乙烯的能力提高千倍以上,分散后的CuCl吸附乙烯的分子比可高达0.19C_2H_4分子/Cu~ 离子.分散在γ-Al_2O_3表面上的CuCl可与C_2H_4,C_3H_6等形成表面π络合物,但要求有合适的几何环境.这些结果可供利用CuCl/γ-Al_2O_3分离含不饱和键分子时参考。
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