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液晶吸附结构的STM形貌研究
引用本文:徐庆敏,谭忠印,王琛,马金,杨林静,李清,朱传凤,王乃新,白春礼.液晶吸附结构的STM形貌研究[J].中国科学B辑,1998(5).
作者姓名:徐庆敏  谭忠印  王琛  马金  杨林静  李清  朱传凤  王乃新  白春礼
作者单位:中国科学院化学研究所!北京100080(徐庆敏,王琛,马金,杨林静,李清,朱传凤,王乃新),辽宁师范大学化学系!大连116029(谭忠印),(白春礼)
基金项目:国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :196 34 0 10 )
摘    要:在室温下 ,利用扫描隧道显微镜 (STM )对 4 戊基 4′ 甲氧基苯甲酸苯酯吸附在石墨基底上的结构进行了研究 ,结果表明分子为单层且有一定位错的头 (甲氧基 )对头、尾 (烷基 )对尾排列 ;理论计算表明 :外加偏压产生的电场对分子轨道能级及其极化率具有一定的影响 ;由于分子的HOMO ,LUMO能级与石墨费米能级之间的能量差值较大 ,低偏压下不利于STM成象 ,因此 ,分子的极化率对石墨基底功函数的影响可能是形成该液晶分子STM形貌的主要因素 .

关 键 词:液晶  扫描隧道显微镜(STM)  分子模拟
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