| Keggin结构磷钼酸/二氧化硅介孔复合薄膜的制备及其光致变色性质 |
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| 引用本文： | 张学骜,吴文健,满亚辉,田甜,田小洲,王建方.Keggin结构磷钼酸/二氧化硅介孔复合薄膜的制备及其光致变色性质[J].中国科学B辑,2007,37(2):156-163. |
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| 作者姓名： | 张学骜 吴文健 满亚辉 田甜 田小洲 王建方 |
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| 作者单位： | 国防科技大学航天与材料工程学院,长沙,410073 |
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| 基金项目： | 国防科技大学校科研和教改项目;国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用蒸发诱导自组装的方法, 以十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂, 正硅酸乙酯和3-氨丙基三乙氧基硅烷为硅源, 在酸性条件下制备出二维六方结构的氨基功能化的有机/无机杂化介孔二氧化硅薄膜, 然后利用后植入方式将Keggin结构的磷钼酸组装进入介孔薄膜的孔道中, 制备出磷钼酸/二氧化硅介孔复合薄膜. X射线衍射(XRD)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)结果表明, 磷钼酸很好地分散在介孔薄膜的孔道中, 并依然保持Keggin结构. 复合薄膜经紫外光照后从无色变为蓝色, 具有良好的可逆光致变色性能. 紫外-可见(UV- vis)、电子自旋共振波谱(ESR)、X射线光电子(XPS)光谱分析表明价层电荷转移(IVCT)和配体向金属电荷转移(LMCT)是产生光致变色的原因, 磷钼酸与介孔孔壁上的氨基通过氢键以及静电引力发生相互作用, 经紫外光照后发生电荷转移, 杂多阴离子被还原成杂多蓝, 出现多价钼(Ⅵ, Ⅴ)配合物, 而薄膜的消色过程则与氧气的存在有关.
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| 关 键 词： | 二氧化硅 介孔复合薄膜 制备 光致变色 磷钼酸 |
| 收稿时间： | 2006-07-23 |
| 修稿时间： | 2006年7月23日 |
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