| 低温烧结NaBi(WO4)2陶瓷的介电性能 |
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| 引用本文： | 张甦,杨秋红,李启笛.低温烧结NaBi(WO4)2陶瓷的介电性能[J].无机化学学报,2013,29(18). |
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| 作者姓名： | 张甦 杨秋红 李启笛 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200444;苏州晶讯科技股份有限公司, 苏州 215163 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.）资助。 |
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| 摘 要： | 采用固相合成法制备了（WO4）2（NBW）陶瓷，研究了NBW陶瓷的相结构、形貌、烧结特性和微波介电性能。NBW陶瓷在625~800℃烧结1~4 h能够致密化。X射线衍射表明在625~800℃烧结2 h的NBW陶瓷均为四方晶系白钨矿结构的单相陶瓷。随着烧结温度的提高，NBW陶瓷的介电常数、品质因数（Qf值）先增加后降低，谐振频率温度系数逐渐降低。经650℃烧结2 h获得的NBW陶瓷的介电常数为14.36，Qf值为16 503 GHz，谐振频率温度系数为-1.055×10-5℃-1。NBW陶瓷与银共烧反应生成Ag2W2O7相，而与Au、Al共烧具备化学兼容性。
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| 关 键 词： | 低温共烧陶瓷 NaBi(WO4)2陶瓷 介电性能 微波介质陶瓷 |
| 收稿时间： | 2023/3/3 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/8/22 0:00:00 |
Dielectric properties of low-temperature sintered NaBi(WO4)2 ceramics |
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| ZHANG Su,YANG Qiu-Hong,LI Qi-Di.Dielectric properties of low-temperature sintered NaBi(WO4)2 ceramics[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18). |
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| Authors: | ZHANG Su YANG Qiu-Hong LI Qi-Di |
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| Institution: | School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China;Suzhou Semitel Electronics Co., Ltd., Suzhou, Jiangsu 215163, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-temperature co-fired ceramic NaBi(WO4)2 ceramic dielectric property microwave dielectric ceramic |
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