| Sb掺杂ZTO透明导电薄膜的结构和性能 |
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| 引用本文： | 陈肖,李一鸣,刘晓军,贺蕴秋.Sb掺杂ZTO透明导电薄膜的结构和性能[J].无机化学学报,2017,33(3):435-445. |
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| 作者姓名： | 陈肖 李一鸣 刘晓军 贺蕴秋 |
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| 作者单位： | 同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804,同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804,同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804,同济大学材料科学与工程学院, 上海 201804;同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室, 上海 201804 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.51175162）资助项目。 |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶法和旋涂法制备Sb掺杂钙钛矿结构ZTO(ZnSnO_3)透明电薄膜,并借助XRD、SEM、XPS、UV-Vis和Hall效应测试等手段研究了其结构和性能。比较了Sb离子单独置换ZnSnO_3晶体中的Zn2+或Sn4+,以及同时置换Zn2+和Sn4+等3种置换方式所得薄膜的结晶状态,分析了不同置换方式形成的薄膜中Sb离子实际占有的晶格位置,以及Sb5+与Sb~(3+)的比例变化。探讨了不同置换方式晶体中氧空位(VO)、锌间隙(Zni)和锡离子变价(SnSn″)等结构缺陷相应的含量变化,并研究Sb离子掺杂浓度对薄膜晶体结构、结构缺陷和电阻率的影响。研究表明,3种置换方式的Sb掺杂ZTO薄膜均保持单一ZnSnO_3晶相,并且Sb离子均按设计的方案进入了相应的晶格位置,但不同置换方式的薄膜中,Sb5+与Sb~(3+)的比例不同,并且会随Sb离子浓度增大而逐渐减小。研究证明Sb离子置换方式以及掺杂浓度均会显著影响薄膜中载流子的浓度和迁移率,从而影响其电性能。在所制备的薄膜中,Sb离子单独置换Zn2+且组成为Sb_(0.15)Zn_(0.35)Sn_(0.5)O_(1.5)的薄膜电阻率最低,为0.423Ω·cm。此外,所有Sb掺杂ZTO薄膜在360~800 nm波长范围内透过率均在78%以上。
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| 关 键 词： | Sb掺杂 ZTO薄膜 溶胶凝胶法 缺陷 透明 导电 |
| 收稿时间： | 2016/9/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/12/21 0:00:00 |
Structures and Properties of Sb-Doped ZTO Transparent Conducting Films |
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| CHEN Xiao,LI Yi-Ming,LIU Xiao-Jun and HE Yun-Qiu.Structures and Properties of Sb-Doped ZTO Transparent Conducting Films[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2017,33(3):435-445. |
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| Authors: | CHEN Xiao LI Yi-Ming LIU Xiao-Jun and HE Yun-Qiu |
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| Institution: | School of Material Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China,School of Material Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China,School of Material Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China and School of Material Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China;Key Laboratory of Advanced Civil Engineering Materials of Ministry of Education, Tongji University, Shanghai 201804, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sb-doping ZTO films sol-gel defects transparent conductivity |
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