| 沉积温度对Cu_2O薄膜生长过程及光电性能的影响(英文) |
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| 引用本文： | 董金矿,徐海燕,陈琛.沉积温度对Cu_2O薄膜生长过程及光电性能的影响(英文)[J].无机化学学报,2014,30(3):689-695. |
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| 作者姓名： | 董金矿 徐海燕 陈琛 |
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| 作者单位： | 安徽建筑大学材料与化学工程学院, 合肥 230022;安徽建筑大学材料与化学工程学院, 合肥 230022;安徽建筑大学材料与化学工程学院, 合肥 230022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.20901001)、教育部(No.2011075)、安徽省教育厅(No.KJ2009B133)资助项目。 |
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| 摘 要： | 以硫酸铜为铜源,采用一步化学浴沉积法制备出了晶粒尺寸可调的纳米晶Cu2O薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜和紫外可见分光光度法研究了沉积温度对薄膜晶体结构、成核密度、晶粒尺寸、薄膜厚度和光电性能的影响。结果表明,当在60~90℃范围内调节温度时,能够很好地控制晶粒尺寸、薄膜厚度,并将禁带宽度控制在33~51 nm、392~556 nm和2.47~2.61 eV范围内;随着晶粒尺寸的减小,紫外可见光谱的吸收边有明显的蓝移。此外还对薄膜的生长过程,成核密度和颗粒尺寸变化的机理进行了讨论。
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| 关 键 词： | Cu2O薄膜 沉积温度 晶粒尺寸 成核密度 禁带宽度 |
| 收稿时间： | 2013/7/29 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2013/10/9 0:00:00 |
Influence of Deposition Temperature on Growth Process and Opto-electronic Performance of Cu2O Thin Films |
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| DONG Jin-Kuang,XU Hai-Yan and CHEN Chen.Influence of Deposition Temperature on Growth Process and Opto-electronic Performance of Cu2O Thin Films[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2014,30(3):689-695. |
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| Authors: | DONG Jin-Kuang XU Hai-Yan and CHEN Chen |
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| Institution: | College of Materials and Chemical Engineering, Anhui Jianzhu University, Hefei 230022, China;College of Materials and Chemical Engineering, Anhui Jianzhu University, Hefei 230022, China;College of Materials and Chemical Engineering, Anhui Jianzhu University, Hefei 230022, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu2O thin films deposition temperature crystallite size nucleation site density band gap |
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