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低温合成纳米α-Si3N4材料及结构表征
引用本文:杜伟坊,杜海清.低温合成纳米α-Si3N4材料及结构表征[J].无机化学学报,1996,12(1):7-11.
作者姓名:杜伟坊  杜海清
作者单位:湖南师范大学化学系 长沙410081 (杜伟坊),湖南大学化工系 长沙410082(杜海清)
基金项目:湖南师范大学科研基金,国家自然科学基金资助项目
摘    要:本文报道在机械驱动下力,通过机械合金化途径使氮或氨直接在室温下的逐步细化的,新鲜的,高反应活性的硅界面上充分扩散,形成亚稳态系统,在800℃真空炉处理后得到纳米α-Si3N4粉末。发现气氛对合成Si3N4纳米粉末有很大影响。在氮气中,高能球磨前硅粉表面形成的氧化膜在高能球磨过程中与氮反应生成Si2N2O保护层,阻止氮的进一步扩散,使反应产物含有大量未反应的游离硅。在氨气中可以避免生成了Si2N2o

关 键 词:纳米材料  合成  氮化硅  硅粉    机械合金化
收稿时间:1994/11/15 0:00:00
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