| n型Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的电化学制备及表征 |
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| 引用本文： | 王为,卜路霞.n型Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜的电化学制备及表征[J].无机化学学报,2006,22(2):228-232. |
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| 作者姓名： | 王为 卜路霞 |
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| 作者单位： | 天津大学化工学院应用化学系，天津 300072,天津大学化工学院应用化学系，天津 300072 |
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| 摘 要： | 采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。研究了电沉积溶液中硒含量与薄膜中硒含量的关系，考察了不同沉积电位对电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的温差电性能的影响，并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了分析。结果表明，在含有Bi3+、HTeO2+和Se4+的电沉积溶液中，采用电化学沉积的方法，可实现铋、碲、硒三元共沉积，生成Bi2Te3-ySey半导体化合物。改变电沉积溶液组成，可控制Bi2Te3-ySey化合物中硒的掺杂浓度。-0.04 V沉积电位下制备的Bi2Te3-ySey薄膜较平整、致密，组成为Bi2Te2.7Se0.3。退火处理可提高电沉积Bi2Te3-ySey薄膜的塞贝克系数，且控制沉积电位为-0.04 V下制备的Bi2Te3-ySey薄膜退火后的塞贝克系数为-123 μV·K-1。
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| 关 键 词： | Bi2Te3-ySey化合物 电沉积 温差电材料薄膜 |
| 文章编号： | 1001-4861（2006）02-0228-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-05 |
| 修稿时间： | 2005-11-11 |
Electrochemical Preparation and Characterization of n-Bi2Te3-ySey Thermoelectric Thin Films |
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| WANG Wei and BU Lu-Xia.Electrochemical Preparation and Characterization of n-Bi2Te3-ySey Thermoelectric Thin Films[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2006,22(2):228-232. |
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| Authors: | WANG Wei and BU Lu-Xia |
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| Institution: | Department of Applied Chemistry, School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300072 and Department of Applied Chemistry, School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300072 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bi2Te3-ySey compound electrodeposition thermoelectric film |
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