| 三缺位杂多阴离子α-A-PW9O349-的甲基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)]的合成和晶体结构 |
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| 引用本文： | 王敬平,李明雪,牛景扬.三缺位杂多阴离子α-A-PW9O349-的甲基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)]的合成和晶体结构[J].无机化学学报,2002,18(2):130-132. |
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| 作者姓名： | 王敬平 李明雪 牛景扬 |
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| 作者单位： | 河南大学化学化工学院,开封 475001,河南大学化学化工学院,开封 475001,河南大学化学化工学院,开封 475001 |
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| 基金项目： | 河南省杰出青年基金，河南省自然科学基金资助项目(No.004031800 004040300) |
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| 摘 要： | Reaction of the trivacant heteropolyanions α-A-PW9O349- with CH3SiCl3 leads to the formation of the organosilyl derivative (TBA)3α-A-PW9O34(CH3SiO)3(CH3Si)]. The crystal X-ray diffraction analysis shows that the crystal belongs to orthorhombic with space group Pca21, M=3177.09 and the unit cell parameters: a=25.761(5)?,b=14.519(3)?,c=24.396(5)?.V=9124(3)?3,Z=4,Dc=2.225g·cm-3,μ(MoKα)=11.438mm-1,F(000)=5464,R=0.0561,Rw=0.0866. The anion consists of one α-A-PW9O349- anion linked by three CH3SiO+ groups, which attached to the fourth CH3Si through three Si-O-Si bridges.
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| 关 键 词： | 甲基硅 三缺位杂多阴离子 合成 晶体结构 |
| 修稿时间： | 2001年8月31日 |
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