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| 直流电弧自催化合成β-SiC纳米线 | |
| 引用本文： | 王 峰,王秋实,崔启良,张 剑,邹广田.直流电弧自催化合成β-SiC纳米线[J].无机化学学报,2009,25(6):1026-1030. |
| 作者姓名： | 王 峰 王秋实 崔启良 张 剑 邹广田 |
| 作者单位： | 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012 |
| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金，吉林大学科研启动基金，国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划) |
| 摘 要： | 采用C，Si和SiO2为反应原料，利用直流电弧法制备出长直的β-SiC纳米线。纳米线的直径为100～200 nm，长度为10～20 μm，并且沿着<111>方向生长。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、拉曼光谱等手段，对β-SiC纳米线进行表征。探讨了β-SiC纳米线自催化气-液-固(VLS)生长机制。 |
| 关 键 词： | β-SiC 纳米线 直流电弧 |
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