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热处理对SILAR法制备CuInSe_2薄膜性能的影响
引用本文:杨建立,靳正国,石勇,李春艳,安贺松.热处理对SILAR法制备CuInSe_2薄膜性能的影响[J].无机化学学报,2005,21(11).
作者姓名:杨建立  靳正国  石勇  李春艳  安贺松
作者单位:天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072
基金项目:天津市重点基础研究项目(No.33802311)资助。
摘    要:0引言铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率,是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料1]。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法2]、共沉积法3]、溅射法4]、电沉积法5]和化学气相沉积法6]等。这些方法都有各自的

关 键 词:CuInSe_2薄膜  SILAR法  煅烧温度  光学性能

Effects of Post-heat Treatment on Performance of Chalcopyrite CuInSe_2 Film Prepared by SILAR Method
YANG Jian-Li,JIN Zheng-Guo,SHI Yong,LI Chun-Yan,AN He-Song.Effects of Post-heat Treatment on Performance of Chalcopyrite CuInSe_2 Film Prepared by SILAR Method[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2005,21(11).
Authors:YANG Jian-Li  JIN Zheng-Guo  SHI Yong  LI Chun-Yan  AN He-Song
Institution:YANG Jian-Li JIN Zheng-Guo* SHI Yong LI Chun-Yan AN He-Song
Abstract:
Keywords:CuInSe_2 films  SILAR method  calcination temperature  optical properties
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