首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

还原温度对氧化石墨官能团、结构及湿敏性能的影响
引用本文:陈军刚,彭同江,孙红娟,刘波,赵二正.还原温度对氧化石墨官能团、结构及湿敏性能的影响[J].无机化学学报,2013,29(18).
作者姓名:陈军刚  彭同江  孙红娟  刘波  赵二正
作者单位:西南科技大学理学院, 绵阳 621010;西南科技大学矿物材料及应用研究所, 绵阳 621010;西南科技大学矿物材料及应用研究所, 绵阳 621010;西南科技大学理学院, 绵阳 621010;西南科技大学矿物材料及应用研究所, 绵阳 621010
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.41272051);西南科技大学博士基金(No.11ZX7135)。
摘    要:基于氧化石墨具有多种官能团,研究了还原温度对氧化石墨结构及湿敏性能的影响。在不同温度下,对改进Hummers法制备的高氧化程度氧化石墨薄膜进行了还原,制备了不同温度条件下还原的氧化石墨薄膜湿敏元件。采用FTIR、XRD和Raman对实验样品的官能团及结构变化属性进行表征分析。结果表明:石墨被氧化后,碳原子结构层上接入-OH、环氧基、C=O和COOH官能团,底面间距增大至0.9084nm;利用热还原法制备石墨烯的过程中,随着还原温度的升高,氧化石墨官能团逐渐热解,石墨化区域逐渐恢复但其相对尺寸减小,缺陷增多,氧化石墨的底面间距沿c轴方向由0.9084nm逐渐减小到0.4501nm;且不同温度还原的氧化石墨薄膜的电阻从10.32MΩ减小至41.1Ω。在11.3%~93.6%相对湿度范围内,不同温度还原的氧化石墨薄膜湿敏元件的电阻随湿度升高而显著减小;氧化石墨还原程度越高,响应时间越长,脱附时间越短;150℃还原的氧化石墨薄膜湿敏元件具有最佳的湿敏性能。

关 键 词:还原温度  氧化石墨  官能团  结构  湿敏性能与机理

Influence of Reduction Temperature on Functional Groups, Structures and Humidity Sensitivity of Graphite Oxide
CHEN Jun-Gang,PENG Tong-Jiang,SUN Hong-Juan,LIU Bo and ZHAO Er-Zheng.Influence of Reduction Temperature on Functional Groups, Structures and Humidity Sensitivity of Graphite Oxide[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18).
Authors:CHEN Jun-Gang  PENG Tong-Jiang  SUN Hong-Juan  LIU Bo and ZHAO Er-Zheng
Institution:School of Science, Southwest University of Science & Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China;Insititute of Mineral Materials & Application, Southwest University of Science & Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China;Insititute of Mineral Materials & Application, Southwest University of Science & Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China;School of Science, Southwest University of Science & Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China;Insititute of Mineral Materials & Application, Southwest University of Science & Technology, Mianyang, Sichuan 621010, China
Abstract:
Keywords:reduction temperature  graphite oxide  functional groups  structure  humidity-sensitive properties and mechanism
点击此处可从《无机化学学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《无机化学学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号