| 硼、铝和镓掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响 |
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| 引用本文： | 秦成龙,罗祥燕,谢泉.硼、铝和镓掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响[J].无机化学学报,2020,36(11):2071-2079. |
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| 作者姓名： | 秦成龙 罗祥燕 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院, 新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.61264004）和贵州省高层次创新型人才培养项目（黔科合人才（2015）4015）资助。 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了本征硅纳米管（SiNTs）的几何结构，以及Ⅲ族元素B、Al、Ga掺杂对单壁锯齿型（14，0）SiNTs稳定性、电子结构和光学性质的影响。结果表明，褶皱型SiNTs为SiNTs稳定存在的结构，B、Al、Ga掺杂能够提高SiNTs的稳定性。本征（14，0）SiNTs属于窄带隙金属材料，通过B、Al、Ga的分别掺杂，SiNTs的带隙变宽，实现了SiNTs从金属性向半导体性质的转变。随着Ⅲ族元素原子序数的增大，其掺杂体系的稳定性不断降低，相应的带隙也不断减少。B、Al、Ga掺杂的单壁锯齿型（14，0）SiNTs具有近乎一致的光学性质，对于紫外光有着很强的吸收特性，并且对于红外和可见光吸收也有着不错的提升。
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| 关 键 词： | 掺杂 稳定性 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2020/4/16 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/8/16 0:00:00 |
Electronic Structures and Optoelectronic Properties of Silicon Nanotubes Doped by B, Al and Ga |
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| QIN Cheng-Long,LUO Xiang-Yan,XIE Quan.Electronic Structures and Optoelectronic Properties of Silicon Nanotubes Doped by B, Al and Ga[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2020,36(11):2071-2079. |
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| Authors: | QIN Cheng-Long LUO Xiang-Yan XIE Quan |
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| Institution: | Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang 550025, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | doping stability electronic structure optical properties |
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