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γ射线辐照法制备CdS纳米棒及性能表征
引用本文:赵兵,张海娇,王昊博,焦正,吴明红.γ射线辐照法制备CdS纳米棒及性能表征[J].无机化学学报,2008,24(3):393-397.
作者姓名:赵兵  张海娇  王昊博  焦正  吴明红
作者单位:上海大学环境与化学工程学院,上海,200444
基金项目:上海市教委资助项目 , 上海市教委资助项目 , 上海市高校选拔培养优秀青年教师科研项目 , 上海大学创新基金
摘    要:在pH=3的酸性条件下,以硫酸镉和硫代乙酰胺(TAA)为反应前驱体,采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)自组装形成的管状胶束(PVAC)为模板,通过γ射线辐照法成功合成了CdS纳米棒,并通过XRD、UV-Vis、SAED、TEM和PL等技术对反应中间产物及最终产物进行了表征。研究表明,该方法在Cd2+浓度为0.015 mol·L-1、辐照剂量为15~20 kGy时,可获得直径在100 nm以下,长度在3 μm以上的CdS纳米棒;并且较低的辐照剂量和反应物浓度有利于获得较大长径比的CdS纳米棒。

关 键 词:CdS    纳米棒    十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)    γ射线
文章编号:1001-4861(2008)03-0393-05
收稿时间:2007/10/29 0:00:00
修稿时间:2007年10月29
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