| HgI2-HI-H2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长 |
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| 引用本文： | 许岗,张改,杨丛笑,陈静,侯雁楠,李俊英,谷智.HgI2-HI-H2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长[J].无机化学学报,2019,35(5):871-875. |
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| 作者姓名： | 许岗 张改 杨丛笑 陈静 侯雁楠 李俊英 谷智 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院;西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金（No.21501139）资助项目 |
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| 摘 要： | 在HgI_2-HI-H_2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI_2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI_2晶体。结果表明,HgI_2-HI-H_2O溶液中存在HgI_3]~-,HgI_4]~(2-)和HgI_2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI_2晶体;负极主要是由中性HgI_2键合并相变形成的小颗粒HgI_2晶体。分析认为,HgI_2-HI-H_2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。
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| 关 键 词： | 碘化汞 电场诱导 生长单元 结构控制 |
| 收稿时间： | 2018/12/24 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/3/3 0:00:00 |
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