| 低成本硫掺杂多孔碳材料的制备及其超级电容性能 |
| |
| 引用本文： | 李嘉欣,钟雯诗,刘召妹,胡庚申.低成本硫掺杂多孔碳材料的制备及其超级电容性能[J].无机化学学报,2013,29(18). |
| |
| 作者姓名： | 李嘉欣 钟雯诗 刘召妹 胡庚申 |
| |
| 作者单位： | 浙江师范大学物理化学研究所, 先进催化剂材料教育部重点实验室, 金华 321004 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.21202647)资助。 |
| |
| 摘 要： | 以廉价的胶态二氧化硅为模板，蔗糖为碳源，硫酸为预碳化试剂和硫源，通过硬模板法制备了相对廉价的硫掺杂多孔碳(SSC-T，T℃代表碳化温度)材料。采用多种表征方法对多孔碳材料的微观形貌、孔道结构、比表面积和表面硫物种进行了表征，探究了硫酸和碳化温度对多孔碳材料的微观形貌、孔道结构和比表面积的影响。结果表明，碳化温度对碳的孔结构、比表面积和硫元素的含量有显著的影响，其中900℃碳化得到的样品SSC-900具有最大的比表面积、孔体积和比电容，远高于未加入硫酸制备的碳材料SC-900，表明硫酸的加入可以提高碳材料的比表面积、孔体积，进而提高碳材料的比电容。与昂贵的有序介孔碳CMK-3相比，SSC-900具有成本更低、孔径更大和电容性能更好的优点。在以6.0 mol·L-1 KOH为电解质的三电极体系中，在0.5 A·g-1的电流密度下，SSC-900的比电容可以达到357 F·g-1，而SC-900和CMK-3的比电容分别仅为152和266 F·g-1。电容贡献分析表明，SSC-900的双层电容值和赝电容值均高于SC-900。此外，SSC-900在0.5 A·g-1的电流密度下循环10 000次后仍能保持98.4%的初始比电容。
|
| 关 键 词： | 超级电容器 多孔碳 硫掺杂 |
| 收稿时间： | 2023/8/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/23 0:00:00 |
Preparation of low-cost S-doped porous carbons for high-performance supercapacitors |
| |
| LI Jiaxin,ZHONG Wenshi,LIU Zhaomei,HU Gengshen.Preparation of low-cost S-doped porous carbons for high-performance supercapacitors[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18). |
| |
| Authors: | LI Jiaxin ZHONG Wenshi LIU Zhaomei HU Gengshen |
| |
| Institution: | Key Laboratory of the Ministry of Education for Advanced Catalysis Materials, Institute of Physical Chemistry, Zhejiang Normal University, Jinhua, Zhejiang 321004, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | supercapacitor porous carbon sulfur-doped |
|
| 点击此处可从《无机化学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《无机化学学报》下载免费的PDF全文 |
|
