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正十二烷基胺支撑的四碘化锡层状半导体材料的研究
引用本文:刘 崭,石高全,陈凤恩,马明明.正十二烷基胺支撑的四碘化锡层状半导体材料的研究[J].无机化学学报,2003,19(11):1185-1190.
作者姓名:刘 崭  石高全  陈凤恩  马明明
作者单位:清华大学化学系,北京,100084
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.50225311)。
摘    要:合成了具有钙钛矿结构的有机-无机复合层状半导体材料,(C12H25NH3)2SnI4。测得其电导率为5×10-3S·cm-1。粉末X-射线衍射(XRD)结果表明在有机层中的烷基链间有较高的链交叉。用示差扫描量热法(DSC),变温拉曼光谱(Raman)和变温红外光谱(IR)研究了其微观结构随温度的变化。

关 键 词:有机-无机复合层状半导体材料  钙钛矿结构  Raman(拉曼)  碘化亚锡  相转变
修稿时间:2003年5月22日

Dodecylamine Supported Layered Tin Iodide as Semiconductor
LIU Zhan,SHI Gao-Quan,CHEN Feng-En and MA Ming-Ming.Dodecylamine Supported Layered Tin Iodide as Semiconductor[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2003,19(11):1185-1190.
Authors:LIU Zhan  SHI Gao-Quan  CHEN Feng-En and MA Ming-Ming
Abstract:
Keywords:
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