| Ag掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结结构和发光性能的影响 |
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| 引用本文： | 余春燕,户芳,梅伏洪,李锐,贾伟,李天保.Ag掺杂对n-ZnO纳米棒/p-GaN异质结结构和发光性能的影响[J].无机化学学报,2018,34(2):289-294. |
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| 作者姓名： | 余春燕 户芳 梅伏洪 李锐 贾伟 李天保 |
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| 作者单位： | 太原理工大学, 材料科学与工程学院, 太原 030024;太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024,太原理工大学, 材料科学与工程学院, 太原 030024;太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024,太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024,太原理工大学, 材料科学与工程学院, 太原 030024;太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024,太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024,太原理工大学, 材料科学与工程学院, 太原 030024;太原理工大学, 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 太原 030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.51672185，61404089），山西省自然科学基金（No.2014011016-6）和山西省青年科技研究基金（No.2015021103，201601D202029）资助项目。 |
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| 摘 要： | 利用简单的水热合成法在p-GaN薄膜上制备了Ag掺杂的一维ZnO纳米棒(ZnO NRs),并且研究了Ag掺杂对于ZnO NRs结构和形貌以及n-ZnO NRs/p-GaN异质结发光特性的影响。结果表明,不同Ag掺杂浓度的ZnO纳米棒截面均呈六边形的棒状结构,且纳米棒的取向垂直于衬底;XRD分析结果表明,随着Ag掺杂浓度的增加,ZnO纳米棒(0002)晶面的峰位向衍射角减小的方向移动,表明Ag+置换了ZnO晶格中的部分Zn2+后使其晶格常数略增加;随着Ag掺杂浓度的增加,ZnO纳米棒近带边发光峰发生一定的红移并且强度逐渐减弱,黄带发光峰逐渐增强,n-ZnO NRs/p-GaN异质结具有更好的传输效率。
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| 关 键 词： | 氧化锌纳米棒 银掺杂 结构 光致发光 |
| 收稿时间： | 2017/1/19 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/12/4 0:00:00 |
Effect of Ag-Doping on Structural and Photoluminescence Properties of n-ZnO Nanorods/p-GaN Heterojunction |
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| YU Chun-Yan,HU Fang,MEI Fu-Hong,LI Rui,JIA Wei and LI Tian-Bao.Effect of Ag-Doping on Structural and Photoluminescence Properties of n-ZnO Nanorods/p-GaN Heterojunction[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2018,34(2):289-294. |
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| Authors: | YU Chun-Yan HU Fang MEI Fu-Hong LI Rui JIA Wei and LI Tian-Bao |
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| Institution: | College of Materials Science and Technology, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China,College of Materials Science and Technology, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China,Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China,College of Materials Science and Technology, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China,Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China and College of Materials Science and Technology, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering, Advanced Materials of Ministry of Education, Taiyuan University of Technology, Taiyuan 030024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanorod Ag-doping structure photoluminescence |
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