| 原子层沉积Sn掺杂ZnO薄膜结构及光电性能的研究 |
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| 引用本文： | 袁海,刘正堂.原子层沉积Sn掺杂ZnO薄膜结构及光电性能的研究[J].人工晶体学报,2013(2):240-245. |
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| 作者姓名： | 袁海 刘正堂 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用原子层沉积方法以臭氧为氧源,分别在Si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜。系统研究了Sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响。XRD分析表明:所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向。XPS分析表明:在ZnO中掺杂离子以Sn4+形式存在。Hall分析表明Sn是一种有效的施主掺杂元素,其通过置换Zn2+位置释放导电电子。当Sn掺杂浓度为1.8at%时,Hall测试表明ZnO薄膜具有最低电阻率为9.5×10-4Ω.cm,载流子浓度达到最高值为3.2×1020cm-3,进一步增加Sn浓度使得ZnO薄膜电学性能变差。SnZO薄膜在可见光区域的光透过率超过85%,光学带隙值由未掺杂ZnO的3.26 eV增加到5.7at%Sn掺杂时3.54 eV。
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| 关 键 词： | Sn掺杂ZnO 原子层沉积 晶体结构 光电性能 |
Structural,Electrical and Optical Properties of Sn Doped ZnO Films Deposited by Atomic Layer Deposition |
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| YUAN Hai,LIU Zheng-tang.Structural,Electrical and Optical Properties of Sn Doped ZnO Films Deposited by Atomic Layer Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2013(2):240-245. |
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| Authors: | YUAN Hai LIU Zheng-tang |
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| Institution: | (State Key Laboratory of Solidification Processing,School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China) |
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