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用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究
引用本文:张万松,徐孝镇,孙为,周广刚,冯金波.用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究[J].人工晶体学报,2005,34(4):725-728.
作者姓名:张万松  徐孝镇  孙为  周广刚  冯金波
作者单位:石油大学(北京)数理系,北京,102200;韩国国立釜庆大学校物理学科,釜山,608-737
基金项目:韩国研究基金会资助项目(KRF-2002-070-C00042)
摘    要:先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.

关 键 词:Czochralski方法  KMgF3晶体  Ar气体环境  
文章编号:1000-985X(2005)04-0725-04
收稿时间:01 10 2005 12:00AM
修稿时间:2005-01-10

Study on the Growth of KMgF3 Crystal by Czochralski Method
ZHANG Wan-song,SEO Hyo-jin,SUN Wei,ZHOU Guang-gang,FENG JIN-bo.Study on the Growth of KMgF3 Crystal by Czochralski Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(4):725-728.
Authors:ZHANG Wan-song  SEO Hyo-jin  SUN Wei  ZHOU Guang-gang  FENG JIN-bo
Abstract:
Keywords:Czochralski method  KMgF3 crystal  Ar gas environment
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