| 一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟 |
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| 引用本文： | 于海群,左然,陈景升.一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟[J].人工晶体学报,2011,40(4):1065-1070. |
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| 作者姓名： | 于海群 左然 陈景升 |
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| 作者单位： | 江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013 |
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| 摘 要： | 提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器.针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流(筒)壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响.模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流.通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体.通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件.
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| 关 键 词： | 多喷淋头 MOCVD 反应器设计 GaN生长 数值模拟 |
Design and Simulation of a Multi-showerheads MOCVD Reactor |
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| YU Hai-qun,ZUO Ran,CHEN Jing-sheng.Design and Simulation of a Multi-showerheads MOCVD Reactor[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(4):1065-1070. |
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| Authors: | YU Hai-qun ZUO Ran CHEN Jing-sheng |
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