| Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 梁伟华,王秀丽,褚立志,丁学成,邓泽超,王英龙.Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质[J].人工晶体学报,2011,40(4):1027-1032. |
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| 作者姓名： | 梁伟华 王秀丽 褚立志 丁学成 邓泽超 王英龙 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对Cu掺杂H钝化硅量子点的形成能、态密度、磁性和光学性质进行了计算,考虑了Cu占据硅量子点替代和间隙的不同位置.结果表明:Cu趋向占据硅量子点表面的六角形间隙位置.Cu掺杂硅量子点引入了杂质能级,带隙变窄.由于Cu的d态p态和Si的p态耦合,导致Cu替代掺杂硅量子点具有铁磁性,且在低能区出现了一个较强的吸收峰.
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| 关 键 词： | 硅量子点 第一性原理 态密度 磁性 光学性质 |
Electronic Structures and Optical Properties of Cu-doped Silicon Quantum Dots |
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| LIANG Wei-hua,WANG Xiu-li,CHU Li-zhi,DING Xue-cheng,DENG Ze-chao,WANG Ying-long.Electronic Structures and Optical Properties of Cu-doped Silicon Quantum Dots[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(4):1027-1032. |
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| Authors: | LIANG Wei-hua WANG Xiu-li CHU Li-zhi DING Xue-cheng DENG Ze-chao WANG Ying-long |
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