| 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 吴洁君,韩修训,李杰民,黎大兵,魏宏远,康亭亭,王晓晖,刘祥林,王占国.缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2005,34(3):466-470. |
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| 作者姓名： | 吴洁君 韩修训 李杰民 黎大兵 魏宏远 康亭亭 王晓晖 刘祥林 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料开放重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60376013,60136020)资助 |
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| 摘 要： | 本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌，其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌，发现随着厚度的增加，其表面由疏松、粗糙变得致密、平整，六角GaN小晶粒的数量减少，且取向较为一致。用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能，发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加：XRD的半高宽FWHMs增大，表面粗糙度先减小后又略有增大，背底载流子浓度则随之减少，而迁移率的变化则不明显。通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间。
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| 关 键 词： | 缓冲层厚度 GaN 蓝宝石衬底 MOCVD |
| 文章编号： | 1000-985X(2005)03-0466-05 |
Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition |
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| WU Jie-jun,HAN Xiu-xun,LI Jie-min,LI Da-bing,WEI Hong-yuan,KANG Ting-ting,WANG Xiao-hui,LIU Xiang-lin,WANG Zhan-guo.Influence of Buffer Layer Thickness on the Properties of an Undoped GaN Layer Grown on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(3):466-470. |
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| Authors: | WU Jie-jun HAN Xiu-xun LI Jie-min LI Da-bing WEI Hong-yuan KANG Ting-ting WANG Xiao-hui LIU Xiang-lin WANG Zhan-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | buffer layer thickness GaN sapphire substrate MOCVD |
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