| SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算 |
| |
| 引用本文： | 柴跃生,罗春云,张敏刚,伍静.SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算[J].人工晶体学报,2009,38(5):1216-1220. |
| |
| 作者姓名： | 柴跃生 罗春云 张敏刚 伍静 |
| |
| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024;太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024 |
| |
| 基金项目： | 山西省自然科学基金(No.20041073) |
| |
| 摘 要： | 采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO_2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si_3和Si_5的电子结构及光学性质.结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si_3结构的带隙比包埋Si_5结构宽,但包埋Si_5结构对可见光区的吸收优于包埋Si_3结构.Si_3结构的第一个吸收峰在约3.9 eV处,Si_5结构的第一个吸收峰在约4.6 eV处.计算表明,Si纳米颗粒中Si原子数与包埋基质的分子数之比为45.46;是一种较好的结构参数,对可见光区吸收效果好.
|
| 关 键 词： | 第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度 |
Calculation of Optoelectronic Properties of Si Nanocrystals Embedded in SiO2 |
| |
| CHAI Yue-sheng,LUO Chun-yun,ZHANG Min-gang,WU Jing.Calculation of Optoelectronic Properties of Si Nanocrystals Embedded in SiO2[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(5):1216-1220. |
| |
| Authors: | CHAI Yue-sheng LUO Chun-yun ZHANG Min-gang WU Jing |
| |
| Institution: | 1.College of Materials Science and Engineering;Shanghai University;Shanghai 200072;China;2.College of Materials Science and Engineering;Taiyuan University of Science and Technology;Taiyuan 030024;China |
| |
| Abstract: | The electronic structure and optical properties of Si3 and Si5 nanocrystals with different sizes embedded in SiO2 have been investigated by first-principles pseudopotential plane-wave method. The results show the bandgap of Si3 embeded structure is wider than Si5 embeded structure,with the sizes of silicon nanocrystals embedded in SiO2 decreasing,while the absorption efficiency of Si5 embeded structure for visible light is better than Si3 embeded structure. The first absorption peak of Si3 embeded structure... |
| |
| Keywords: | first-principles density functional theory valence-band distortion density of states(DOS) |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
