| AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 |
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| 引用本文： | 贲建伟,孙晓娟,蒋科,陈洋,石芝铭,臧行,张山丽,黎大兵,吕威.AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件[J].人工晶体学报,2020,49(11):2046-2067. |
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| 作者姓名： | 贲建伟 孙晓娟 蒋科 陈洋 石芝铭 臧行 张山丽 黎大兵 吕威 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京 100049;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春 130033;长春工业大学,长春 130012 |
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| 基金项目： | (国家杰出青年科学基金)%(国家重点研发计划)%(国家自然科学基金面上项目)%苏州纳米所开放课题%(发光学及应用国家重点实验室开放课题) |
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| 摘 要： | AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.
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| 关 键 词： | AlGaN基材料 外延生长 掺杂 紫外发光器件 紫外探测 |
AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices |
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| BEN Jianwei,SUN Xiaojuan,JIANG Ke,CHEN Yang,SHI Zhiming,ZANG Hang,ZHANG Shanli,LI Dabing,LYU Wei.AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):2046-2067. |
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| Authors: | BEN Jianwei SUN Xiaojuan JIANG Ke CHEN Yang SHI Zhiming ZANG Hang ZHANG Shanli LI Dabing LYU Wei |
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