| GaN基三维结构生长与器件应用 |
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| 引用本文： | 王珣,汪莱,郝智彪,罗毅,孙长征,韩彦军,熊兵,王健,李洪涛.GaN基三维结构生长与器件应用[J].人工晶体学报,2020,49(11):1984-1995. |
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| 作者姓名： | 王珣 汪莱 郝智彪 罗毅 孙长征 韩彦军 熊兵 王健 李洪涛 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084;清华大学电子工程系,北京国家信息科学技术研究中心,北京 100084 |
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| 基金项目： | (国家重点研发计划)%(国家自然科学基金) |
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| 摘 要： | 目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN.其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究.本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理.接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性.最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用.
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| 关 键 词： | 氮化镓 发光二极管 三维结构 无荧光粉白光 效率下降 |
Growth and Device Application of GaN Three-Dimensional Structure |
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| WANG Xun,WANG Lai,HAO Zhibiao,LUO Yi,SUN Changzheng,HAN Yanjun,XIONG Bing,WANG Jian,LI Hongtao.Growth and Device Application of GaN Three-Dimensional Structure[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(11):1984-1995. |
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| Authors: | WANG Xun WANG Lai HAO Zhibiao LUO Yi SUN Changzheng HAN Yanjun XIONG Bing WANG Jian LI Hongtao |
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| Keywords: | |
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