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新型Q开关晶体Cr4+∶YAG的生长和退火研究
引用本文:黄朝红,肖敬忠,秦青海,王爱华,殷绍唐.新型Q开关晶体Cr4+∶YAG的生长和退火研究[J].人工晶体学报,2002,31(4).
作者姓名:黄朝红  肖敬忠  秦青海  王爱华  殷绍唐
作者单位:中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室,合肥,230031
摘    要:采用二价Ca离子作为电荷补偿离子由提拉法生长出了具有高光学质量的调Q开关晶体Cr4+∶YAG并对该晶体进行了退火研究.吸收光谱测量表明原生态晶体中已有少量Cr4+离子存在.晶体经空气中退火后Cr4+离子浓度和1.06μm处的吸收系数均显著提高.晶体生长和退火实验显示出晶体中Cr4+离子的浓度不仅取决于掺杂的Cr3+离子的浓度,而且同晶体中的Ca/Cr浓度比密切相关.

关 键 词:Cr4+∶YAG  Q开关晶体  晶体生长  退火  吸收光谱

Study on Growth and Annealing of a New Q-switching Crystal Cr4+∶YAG
Abstract:
Keywords:
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