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AgGaSe2 晶体的改进Bridgman法生长
引用本文:程干超,杨琳,吴海信,程宁.AgGaSe2 晶体的改进Bridgman法生长[J].人工晶体学报,1998,27(1):31-35.
作者姓名:程干超  杨琳  吴海信  程宁
作者单位:中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
摘    要:本文报导了一种AgGaSe2生长工艺,可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质,结合一项改进的坩埚镀碳技术,提高了生长优质AgGaSe2单晶的成品率.文中还给出了晶体样品的红外观测,红外透过光谱和光电流谱,以及可调谐TEA CO2激光倍频的实验结果.

关 键 词:AgGaSe2  非线性光学晶体  改进的Bridgman法  红外光谱  倍频  

Growth of AgGaSe2 Single Crystal By Improved Bridgman Method
Cheng Ganchao,Yang Ling,Wu Haixin,Cheng Ning.Growth of AgGaSe2 Single Crystal By Improved Bridgman Method[J].Journal of Synthetic Crystals,1998,27(1):31-35.
Authors:Cheng Ganchao  Yang Ling  Wu Haixin  Cheng Ning
Abstract:
Keywords:
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