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ZnO基稀磁半导体材料的最新研究进展
引用本文:姬晓旭,王爱华,张萍.ZnO基稀磁半导体材料的最新研究进展[J].人工晶体学报,2014,43(7):1762-1768.
作者姓名:姬晓旭  王爱华  张萍
作者单位:南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳,473061
基金项目:河南省自然科学基金(132102210048,122300410214,112300410121);南阳师范学院专项项目(ZX2010010,ZX2011007)
摘    要:ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一.室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题.本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了综述.

关 键 词:自旋电子学  ZnO  稀磁半导体  室温铁磁性  

Research Progress of ZnO-based Dilute Magnetic Semiconductor Materials
JI Xiao-xu,WANG Ai-hua,ZHANG Ping.Research Progress of ZnO-based Dilute Magnetic Semiconductor Materials[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(7):1762-1768.
Authors:JI Xiao-xu  WANG Ai-hua  ZHANG Ping
Abstract:
Keywords:
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