| GaN微米片的制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 余春燕,翟化松,申艳强.GaN微米片的制备及性能研究[J].人工晶体学报,2014,43(9):2186-2191. |
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| 作者姓名： | 余春燕 翟化松 申艳强 |
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| 作者单位： | 太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 |
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| 基金项目： | 山西省自然科学基金(2014011016-6);山西省回国留学人员科研项目(2011-031);山西省留学人员科技活动择优资助([2011]762) |
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| 摘 要： | 通过采用化学气相沉积法(CVD),以金属Ga和NH3为原料,在Si (100)衬底和蓝宝石衬底上采用催化剂Ni合成了GaN微米片.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X-ray能谱仪(EDS)、光致发光谱(PL)和霍尔效应测试仪(HMS-3000)对样品进行表征.结果表明,生成的微米片为六方纤锌矿结构的GaN;样品在360 nm处有一近带边紫外发射峰,在676 nm处有一个因缺陷引起的弱的红光发射峰;不同衬底上产物GaN的电学性能有所不同.最后,对本实验所得的GaN微米片的形成机理进行了分析.
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| 关 键 词： | GaN微米片 Si衬底 蓝宝石衬底 化学气相沉积 |
Synthesis and Properties of GaN Micronsheets |
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| YU Chun-yan,ZHAI Hua-song,SHEN Yan-qiang.Synthesis and Properties of GaN Micronsheets[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(9):2186-2191. |
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| Authors: | YU Chun-yan ZHAI Hua-song SHEN Yan-qiang |
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