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| 射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响 | |
| 引用本文： | 郝娟,蒋百灵,杨超,董丹,张彤晖.射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响[J].人工晶体学报,2014(11). |
| 作者姓名： | 郝娟 蒋百灵 杨超 董丹 张彤晖 |
| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51271144) |
| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律。结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60%以上,且少子寿命达到20μs以上。 |
| 关 键 词： | Si薄膜 射频功率 微观结构 少子寿命 |
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